ddr2 2代服务器内存

一、基本介绍

1、定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即4bit数据读预取），换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

2、封装形式：由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。

3、电压和功耗：DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

二、技术特点

1、OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性，DDR2通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等，使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

2、ODT（On-Die Termination）：ODT是内建核心的终结电阻器，使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻，它大大增加了主板的制造成本，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加，因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质，DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形，使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

3、Post CAS：它是为了提高DDR Ⅱ内存的利用效率而设定的，在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效，原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置，由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突，采用双通道运行，速度是DDR的2倍。

三、选购策略

1、性价比：选购DDR2内存还是要买主流频率的产品，不要一味追求高频的内存，在价格相差不大的情况下，购买时不妨考虑高频率，毕竟频率提升，对整体性能发挥还是有一些帮助的，不过前提是主板支持高的外部频率，否则也大材小用了，内存市场的行情瞬间万变，特别是高端的产品，跌价很快，有的高频的内存产品也不像刚上市时贵得离谱了，对于一些真正的发烧友来说，还是值得购买的。

2、品牌：个人用户正越来越重视内存条的品质，购买散装内存条的用户已越来越少，品牌内存逐渐成为了购买的主流，毕竟其品质、做功、性能和稳定性消费者是有目共睹的。

四、FAQs

1、问：DDR2和DDR有什么区别？

答**：DDR2与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即4bit数据读预取），换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行，DDR2内存采用1.8V电压，相较于DDR标准的2.5V电压更节能。

2、问：DDR2和DDR3有什么区别？

答**：DDR3与DDR2相比，在多个方面进行了升级，在物理设计上，DDR3有两排针脚，而DDR2只有一排针脚，在频率与性能上，DDR3的频率通常在800MHz到1066MHz之间，而DDR2的频率通常在400MHz到1066MHz之间，DDR3还支持更高的容量和更低的延迟时间，在容量方面，DDR3支持更高的容量，最高可达256GB甚至更高；在延迟时间方面，DDR3的延迟更低，数据响应速度更快。